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SUP60N02-4m5P
Vishay Siliconix
N-Channel 20-V (D-S) 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V (BR)DSS (V) r DS(on) ( Ω )
0.0045 at V GS = 10 V
20
0.0065 at V GS = 4.5 V
I D (A) a
60
60
FEATURES
? TrenchFET ? Power MOSFET
? 175 °C Junction Temperature
? 100 % R g Tested
? 100 % UIS Tested
RoHS
COMPLIANT
APPLICATIONS
? OR-ing
TO-220AB
D
DRAIN connected to TAB
G D S
Top View
Ordering Information: SUP60N02-4m5P-E3 (Lead (Pb)-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
G
S
N-Channel MOSFET
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
Limit
20
± 20
Unit
V
120
Continuous Drain Current (T J = 175 °C)
Pulsed Drain Current
Single Pulse Avalanche Current
Single Pulse Avalanche Energy
Maximum Power Dissipation b
Operating Junction and Storage Temperature Range
T C = 25 °C
T C = 100 °C
L = 0.1 mH
T C = 25 °C
T A = 25 °C d
I D
I DM
I AS
E AS
P D
T J , T stg
60 a
60 a
120
50
125
c
3.75
- 55 to 175
A
mJ
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Junction-to-Ambient (PCB Mount)
Junction-to-Case
d
R thJA
R thJC
40
1.25
°C/W
Notes:
a. Package limited.
b. Duty cycle ≤ 1 %.
c. See SOA curve for voltage derating.
d. When mounted on 1" square PCB (FR-4 material).
Document Number: 69821
S-80182-Rev. A, 04-Feb-08
www.vishay.com
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